Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
EPC2016C
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Αριθμός ανταλλακτικού
EPC2016C
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
-
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
100V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
420pF @ 50V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Μέγ.)
+6V, -4V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 42318 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Σχετικά προϊόντα
Λέξεις-κλειδιά του EPC2016C
EPC2016C ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
EPC2016C Εκπτώσεις
EPC2016C Προμηθευτής
EPC2016C Διανομέας
EPC2016C Πίνακας δεδομένων
EPC2016C Φωτογραφίες
EPC2016C Τιμή
EPC2016C Προσφορά
EPC2016C ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
EPC2016C Αναζήτηση
EPC2016C Αγοραστικός
EPC2016C Chip