Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Αριθμός ανταλλακτικού
EPC2101ENGRT
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
eGaN®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
Die
Ισχύς - Μέγ
-
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
Die
Τύπος FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Λειτουργία FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
60V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
300pF @ 30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 45374 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
EPC2101ENGRT Εκπτώσεις
EPC2101ENGRT Προμηθευτής
EPC2101ENGRT Διανομέας
EPC2101ENGRT Πίνακας δεδομένων
EPC2101ENGRT Φωτογραφίες
EPC2101ENGRT Τιμή
EPC2101ENGRT Προσφορά
EPC2101ENGRT ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
EPC2101ENGRT Αναζήτηση
EPC2101ENGRT Αγοραστικός
EPC2101ENGRT Chip