Αγορά Global Power Technologies Group GP1M003A080CH MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

GP1M003A080CH

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

GP1M003A080CH

Κατασκευαστής/Μάρκα

Global Power Technologies Group

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-252, (D-Pak)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

94W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

800V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

19nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

696pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 51135 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας