Αγορά Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

BSO615CGHUMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

SIPMOS®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Ισχύς - Μέγ

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-DSO-8

Τύπος FET

N and P-Channel

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

380pF @ 25V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 20597 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας