Αγορά Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA1 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IPB80N06S209ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Αριθμός ανταλλακτικού

IPB80N06S209ATMA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

OptiMOS™

Κατάσταση μέρους

Discontinued at Digi-Key

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-TO263-3-2

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

190W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

55V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 125µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

80nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2360pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 42982 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας