Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Αριθμός ανταλλακτικού
IPD80R2K8CEBTMA1
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
CoolMOS™
Κατάσταση μέρους
Discontinued at Digi-Key
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252-3
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
42W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
800V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
290pF @ 100V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 46566 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IPD80R2K8CEBTMA1 Εκπτώσεις
IPD80R2K8CEBTMA1 Προμηθευτής
IPD80R2K8CEBTMA1 Διανομέας
IPD80R2K8CEBTMA1 Πίνακας δεδομένων
IPD80R2K8CEBTMA1 Φωτογραφίες
IPD80R2K8CEBTMA1 Τιμή
IPD80R2K8CEBTMA1 Προσφορά
IPD80R2K8CEBTMA1 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IPD80R2K8CEBTMA1 Αναζήτηση
IPD80R2K8CEBTMA1 Αγοραστικός
IPD80R2K8CEBTMA1 Chip