Αγορά Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Αριθμός ανταλλακτικού

IRF6710S2TR1PBF

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

HEXFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

DirectFET™ Isometric S1

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

DIRECTFET S1

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

25V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Ta), 37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1190pF @ 13V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 23043 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας