Αγορά Infineon Technologies IRF6892STR1PBF MOSFET N-CH 25V 28A S3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IRF6892STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 28A S3

Αριθμός ανταλλακτικού

IRF6892STR1PBF

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

HEXFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-40°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

DirectFET™ Isometric S3C

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

DIRECTFET™ S3C

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

25V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

28A (Ta), 125A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 50µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2510pF @ 13V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±16V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 11329 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας