Αγορά Infineon Technologies IRF7701GTRPBF MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

IRF7701GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

IRF7701GTRPBF

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

HEXFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-TSSOP

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.5W (Ta)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

12V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

100nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

5050pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 22199 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας