Αγορά Infineon Technologies SPI11N65C3HKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SPI11N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Αριθμός ανταλλακτικού

SPI11N65C3HKSA1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Infineon Technologies

Σειρά

CoolMOS™

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PG-TO262-3-1

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

125W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

60nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1200pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 24011 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας