Αγορά IXYS IXFH60N65X2-4 MOSFET N-CH

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXFH60N65X2-4

MOSFET N-CH

Αριθμός ανταλλακτικού

IXFH60N65X2-4

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

HiPerFET™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-247-4

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-247-4L

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

780W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

650V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

108nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

6300pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 10290 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247