Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IXFN160N30T

IXFN160N30T

MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
Αριθμός ανταλλακτικού
IXFN160N30T
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
GigaMOS™
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tube
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη
SOT-227-4, miniBLOC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-227B
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
900W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
300V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
335nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
28000pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 31628 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του IXFN160N30T
IXFN160N30T ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IXFN160N30T Εκπτώσεις
IXFN160N30T Προμηθευτής
IXFN160N30T Διανομέας
IXFN160N30T Πίνακας δεδομένων
IXFN160N30T Φωτογραφίες
IXFN160N30T Τιμή
IXFN160N30T Προσφορά
IXFN160N30T ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IXFN160N30T Αναζήτηση
IXFN160N30T Αγοραστικός
IXFN160N30T Chip