Αγορά IXYS IXFN82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXFN82N60Q3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

Αριθμός ανταλλακτικού

IXFN82N60Q3

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

HiPerFET™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-227-4, miniBLOC

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-227B

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

960W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

275nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

13500pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 38722 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B