Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IXFT16N120P
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Αριθμός ανταλλακτικού
IXFT16N120P
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
HiPerFET™, PolarP2™
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tube
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
660W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
1200V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
120nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
6900pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 52382 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Σχετικά προϊόντα
Λέξεις-κλειδιά του IXFT16N120P
IXFT16N120P ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IXFT16N120P Εκπτώσεις
IXFT16N120P Προμηθευτής
IXFT16N120P Διανομέας
IXFT16N120P Πίνακας δεδομένων
IXFT16N120P Φωτογραφίες
IXFT16N120P Τιμή
IXFT16N120P Προσφορά
IXFT16N120P ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IXFT16N120P Αναζήτηση
IXFT16N120P Αγοραστικός
IXFT16N120P Chip