Αγορά IXYS IXFT6N100Q MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXFT6N100Q

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Αριθμός ανταλλακτικού

IXFT6N100Q

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

HiPerFET™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-268

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

180W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

1000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 2.5mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

48nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2200pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 16612 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXFT100N30X3HV

300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS