Αγορά IXYS IXTA1R6N100D2HV MOSFET N-CH

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTA1R6N100D2HV

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263HV

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

100W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Depletion Mode

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

1000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

1.6A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

27nC @ 5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

645pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 8784 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263