Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH
Αριθμός ανταλλακτικού
IXTA1R6N100D2HV
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
-
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
-
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263HV
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
100W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
Depletion Mode
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
1000V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
27nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
645pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
0V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 8784 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IXTA1R6N100D2HV Εκπτώσεις
IXTA1R6N100D2HV Προμηθευτής
IXTA1R6N100D2HV Διανομέας
IXTA1R6N100D2HV Πίνακας δεδομένων
IXTA1R6N100D2HV Φωτογραφίες
IXTA1R6N100D2HV Τιμή
IXTA1R6N100D2HV Προσφορά
IXTA1R6N100D2HV ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IXTA1R6N100D2HV Αναζήτηση
IXTA1R6N100D2HV Αγοραστικός
IXTA1R6N100D2HV Chip