Αγορά IXYS IXTF6N200P3 MOSFET N-CH

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTF6N200P3

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

Polar™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

ISOPLUS i4-PAC™

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

215W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

2000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

143nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3700pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 9127 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTF02N450

MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK