Αγορά IXYS IXTH1N200P3 MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTH1N200P3

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTH1N200P3

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-247-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-247 (IXTH)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

125W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

2000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

23.5nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

646pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 25200 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247