Αγορά IXYS IXTP6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTP6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTP6N100D2

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-220-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220AB

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

300W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Depletion Mode

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

1000V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 3A, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

95nC @ 5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2650pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 32705 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB