Αγορά IXYS IXTQ200N10T MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IXTQ200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Αριθμός ανταλλακτικού

IXTQ200N10T

Κατασκευαστής/Μάρκα

IXYS

Σειρά

TrenchMV™

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-3P-3, SC-65-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-3P

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

550W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

200A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

152nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

9400pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 21871 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IXTQ100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P