Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Αριθμός ανταλλακτικού
IXTT3N200P3HV
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
-
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tube
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-268
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
520W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
2000V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
70nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1860pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 7748 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
IXTT3N200P3HV Εκπτώσεις
IXTT3N200P3HV Προμηθευτής
IXTT3N200P3HV Διανομέας
IXTT3N200P3HV Πίνακας δεδομένων
IXTT3N200P3HV Φωτογραφίες
IXTT3N200P3HV Τιμή
IXTT3N200P3HV Προσφορά
IXTT3N200P3HV ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
IXTT3N200P3HV Αναζήτηση
IXTT3N200P3HV Αγοραστικός
IXTT3N200P3HV Chip