Αγορά ON Semiconductor FQD3N60CTM-WS MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

FQD3N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

FQD3N60CTM-WS

Κατασκευαστής/Μάρκα

ON Semiconductor

Σειρά

QFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

D-Pak

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

50W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

14nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

565pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 48348 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

FQD30N06LTF

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK