Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
HUF76609D3ST

HUF76609D3ST

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Αριθμός ανταλλακτικού
HUF76609D3ST
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
UltraFET™
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
49W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
100V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
16nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
425pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 21256 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του HUF76609D3ST
HUF76609D3ST ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
HUF76609D3ST Εκπτώσεις
HUF76609D3ST Προμηθευτής
HUF76609D3ST Διανομέας
HUF76609D3ST Πίνακας δεδομένων
HUF76609D3ST Φωτογραφίες
HUF76609D3ST Τιμή
HUF76609D3ST Προσφορά
HUF76609D3ST ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
HUF76609D3ST Αναζήτηση
HUF76609D3ST Αγοραστικός
HUF76609D3ST Chip