Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Αριθμός ανταλλακτικού
NVD5865NLT4G
Κατασκευαστής/Μάρκα
Κατάσταση μέρους
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
60V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
29nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 35837 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Σχετικά προϊόντα
Λέξεις-κλειδιά του NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
NVD5865NLT4G Εκπτώσεις
NVD5865NLT4G Προμηθευτής
NVD5865NLT4G Διανομέας
NVD5865NLT4G Πίνακας δεδομένων
NVD5865NLT4G Φωτογραφίες
NVD5865NLT4G Τιμή
NVD5865NLT4G Προσφορά
NVD5865NLT4G ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
NVD5865NLT4G Αναζήτηση
NVD5865NLT4G Αγοραστικός
NVD5865NLT4G Chip