Αγορά Renesas Electronics America NP109N04PUG-E1-AY MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

NP109N04PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Αριθμός ανταλλακτικού

NP109N04PUG-E1-AY

Κατασκευαστής/Μάρκα

Renesas Electronics America

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-263-3

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.8W (Ta), 220W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

40V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

270nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

15750pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 33157 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας