Αγορά Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Αριθμός ανταλλακτικού

RQ3E120BNTB

Κατασκευαστής/Μάρκα

Rohm Semiconductor

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerVDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-HSMT (3.2x3)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

29nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1500pF @ 15V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 45436 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

RQ3E070BNTB

MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8