Αγορά Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06CR 60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TSM130NB06CR

60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

Αριθμός ανταλλακτικού

TSM130NB06CR

Κατασκευαστής/Μάρκα

Taiwan Semiconductor Corporation

Κατάσταση μέρους

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerTDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-PDFN (5x6)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

10A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

36nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

2380pF @ 30V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 14822 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας