Αγορά Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCR RLG MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

TSM150NB04LCR RLG

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Αριθμός ανταλλακτικού

TSM150NB04LCR RLG

Κατασκευαστής/Μάρκα

Taiwan Semiconductor Corporation

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerLDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-PDFN (5x6)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

40V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

10A (Ta), 41A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

18nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

966pF @ 20V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 47471 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας