Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3565(Q,M) MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

2SK3565(Q,M)

MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Αριθμός ανταλλακτικού

2SK3565(Q,M)

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

π-MOSIV

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-220-3 Full Pack

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220SIS

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

45W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

900V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

28nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1150pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 28669 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας