Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SSM6J213FE(TE85L,F

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Αριθμός ανταλλακτικού

SSM6J213FE(TE85L,F

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSVI

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Digi-Reel®

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-563, SOT-666

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

ES6

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

500mW (Ta)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

290pF @ 10V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 12557 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας