Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W,S4VX MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TK12A60W,S4VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Αριθμός ανταλλακτικού

TK12A60W,S4VX

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

DTMOSIV

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

TO-220-3 Full Pack

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-220SIS

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

35W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Super Junction

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

11.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 600µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

25nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

890pF @ 300V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 24817 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας