Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Αριθμός ανταλλακτικού

TK31V60X,LQ

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

DTMOSIV-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

4-VSFN Exposed Pad

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-DFN-EP (8x8)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

240W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Super Junction

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

600V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

30.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.5mA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

65nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3000pF @ 300V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Μέγ.)

±30V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 9799 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας