Αγορά Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Αριθμός ανταλλακτικού

TPN2R805PL,L1Q

Κατασκευαστής/Μάρκα

Toshiba Semiconductor and Storage

Σειρά

U-MOSIX-H

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

175°C

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerVDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2.67W (Ta), 104W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

45V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

139A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 300µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

39nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3.2nF @ 22.5V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 51771 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας