Αγορά Vishay Siliconix IRLD120PBF MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

IRLD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Αριθμός ανταλλακτικού

IRLD120PBF

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tube

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο / Θήκη

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.3W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 780mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

12nC @ 5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

490pF @ 25V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Vgs (Μέγ.)

±10V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 34633 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP