Αγορά Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI1032X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Αριθμός ανταλλακτικού

SI1032X-T1-E3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SC-89, SOT-490

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SC-89-3

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

300mW (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±6V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 30116 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN