Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Αριθμός ανταλλακτικού
SI1050X-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
SOT-563, SOT-666
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-89-6
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
236mW (Ta)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
8V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
585pF @ 4V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±5V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 38055 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI1050X-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI1050X-T1-GE3 Προμηθευτής
SI1050X-T1-GE3 Διανομέας
SI1050X-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI1050X-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI1050X-T1-GE3 Τιμή
SI1050X-T1-GE3 Προσφορά
SI1050X-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI1050X-T1-GE3 Αναζήτηση
SI1050X-T1-GE3 Αγοραστικός
SI1050X-T1-GE3 Chip