Αγορά Vishay Siliconix SI1051X-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI1051X-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Αριθμός ανταλλακτικού

SI1051X-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-563, SOT-666

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SC-89-6

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

236mW (Ta)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

122 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

9.45nC @ 5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

560pF @ 4V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±5V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 52003 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN