Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Αριθμός ανταλλακτικού
SI2303BDS-T1-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
-
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
700mW (Ta)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
30V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
10nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
180pF @ 15V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 22397 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI2303BDS-T1-E3
SI2303BDS-T1-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI2303BDS-T1-E3 Εκπτώσεις
SI2303BDS-T1-E3 Προμηθευτής
SI2303BDS-T1-E3 Διανομέας
SI2303BDS-T1-E3 Πίνακας δεδομένων
SI2303BDS-T1-E3 Φωτογραφίες
SI2303BDS-T1-E3 Τιμή
SI2303BDS-T1-E3 Προσφορά
SI2303BDS-T1-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI2303BDS-T1-E3 Αναζήτηση
SI2303BDS-T1-E3 Αγοραστικός
SI2303BDS-T1-E3 Chip