Αγορά Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI2308BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Αριθμός ανταλλακτικού

SI2308BDS-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

2.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

190pF @ 30V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 51389 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας