Αγορά Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Αριθμός ανταλλακτικού

SI2312BDS-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

750mW (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 41199 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας