Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Αριθμός ανταλλακτικού
SI2312BDS-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
750mW (Ta)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 41199 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI2312BDS-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI2312BDS-T1-GE3 Προμηθευτής
SI2312BDS-T1-GE3 Διανομέας
SI2312BDS-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI2312BDS-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI2312BDS-T1-GE3 Τιμή
SI2312BDS-T1-GE3 Προσφορά
SI2312BDS-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI2312BDS-T1-GE3 Αναζήτηση
SI2312BDS-T1-GE3 Αγοραστικός
SI2312BDS-T1-GE3 Chip