Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Αριθμός ανταλλακτικού
SI2325DS-T1-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
750mW (Ta)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
150V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
12nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
510pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 41255 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI2325DS-T1-E3
SI2325DS-T1-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI2325DS-T1-E3 Εκπτώσεις
SI2325DS-T1-E3 Προμηθευτής
SI2325DS-T1-E3 Διανομέας
SI2325DS-T1-E3 Πίνακας δεδομένων
SI2325DS-T1-E3 Φωτογραφίες
SI2325DS-T1-E3 Τιμή
SI2325DS-T1-E3 Προσφορά
SI2325DS-T1-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI2325DS-T1-E3 Αναζήτηση
SI2325DS-T1-E3 Αγοραστικός
SI2325DS-T1-E3 Chip