Αγορά Vishay Siliconix SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI2333DDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Αριθμός ανταλλακτικού

SI2333DDS-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SOT-23-3 (TO-236)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.2W (Ta), 1.7W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

12V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

35nC @ 8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1275pF @ 6V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 14078 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας