Αγορά Vishay Siliconix SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI3430DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

SI3430DV-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

6-TSOP

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.14W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 16739 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN