Αγορά Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI3475DV-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

SI3475DV-T1-E3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

6-TSOP

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

200V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

950mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.61 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

18nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

500pF @ 50V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 26823 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN