Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI3476DV-T1-GE3

SI3476DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
Αριθμός ανταλλακτικού
SI3476DV-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
2W (Ta), 3.6W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
80V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
93 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
195pF @ 40V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 16883 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI3476DV-T1-GE3
SI3476DV-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI3476DV-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI3476DV-T1-GE3 Προμηθευτής
SI3476DV-T1-GE3 Διανομέας
SI3476DV-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI3476DV-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI3476DV-T1-GE3 Τιμή
SI3476DV-T1-GE3 Προσφορά
SI3476DV-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI3476DV-T1-GE3 Αναζήτηση
SI3476DV-T1-GE3 Αγοραστικός
SI3476DV-T1-GE3 Chip