Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
Αριθμός ανταλλακτικού
SI3495DV-T1-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
1.1W (Ta)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±5V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 44863 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI3495DV-T1-E3 Εκπτώσεις
SI3495DV-T1-E3 Προμηθευτής
SI3495DV-T1-E3 Διανομέας
SI3495DV-T1-E3 Πίνακας δεδομένων
SI3495DV-T1-E3 Φωτογραφίες
SI3495DV-T1-E3 Τιμή
SI3495DV-T1-E3 Προσφορά
SI3495DV-T1-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI3495DV-T1-E3 Αναζήτηση
SI3495DV-T1-E3 Αγοραστικός
SI3495DV-T1-E3 Chip