Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI4102DY-T1-GE3

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Αριθμός ανταλλακτικού
SI4102DY-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
100V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
11nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
370pF @ 50V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 52385 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI4102DY-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI4102DY-T1-GE3 Προμηθευτής
SI4102DY-T1-GE3 Διανομέας
SI4102DY-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI4102DY-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI4102DY-T1-GE3 Τιμή
SI4102DY-T1-GE3 Προσφορά
SI4102DY-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI4102DY-T1-GE3 Αναζήτηση
SI4102DY-T1-GE3 Αγοραστικός
SI4102DY-T1-GE3 Chip