Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI4102DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Αριθμός ανταλλακτικού
SI4102DY-T1-GE3
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SO
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
100V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
11nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
370pF @ 50V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 52385 PCS
Λέξεις-κλειδιά του SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI4102DY-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI4102DY-T1-GE3 Προμηθευτής
SI4102DY-T1-GE3 Διανομέας
SI4102DY-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI4102DY-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI4102DY-T1-GE3 Τιμή
SI4102DY-T1-GE3 Προσφορά
SI4102DY-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI4102DY-T1-GE3 Αναζήτηση
SI4102DY-T1-GE3 Αγοραστικός
SI4102DY-T1-GE3 Chip