Αγορά Vishay Siliconix SI4396DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI4396DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

SI4396DY-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.1W (Ta), 5.4W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

45nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

1675pF @ 15V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο chen_hx1688@hotmail.com, θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 8349 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας