Αγορά Vishay Siliconix SI4464DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI4464DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

SI4464DY-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.5W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

200V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

1.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

18nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 8372 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC