Αγορά Vishay Siliconix SI4836DY-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SI4836DY-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

SI4836DY-T1-E3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.6W (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

12V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

17A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA (Min)

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

75nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 42245 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC